casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / RN4603(TE85L,F)
codice articolo del costruttore | RN4603(TE85L,F) |
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Numero di parte futuro | FT-RN4603(TE85L,F) |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RN4603(TE85L,F) Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 22 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 10mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
Frequenza - Transizione | 200MHz, 250MHz |
Potenza - Max | 300mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-74, SOT-457 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SM6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN4603(TE85L,F) Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RN4603(TE85L,F)-FT |
DMC266030R
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A3PE3000L-FGG484M
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A3P030-2VQ100I
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AGLN250V5-VQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA5H3F35C2N
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A40MX04-2PQG100
Microsemi Corporation