casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / RN1310(TE85L,F)
codice articolo del costruttore | RN1310(TE85L,F) |
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Numero di parte futuro | FT-RN1310(TE85L,F) |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RN1310(TE85L,F) Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
Potenza - Max | 100mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-70, SOT-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | USM |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN1310(TE85L,F) Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RN1310(TE85L,F)-FT |
RN1414,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1441ATE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2404,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1401,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1403,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1404,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1408,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1409,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1416,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2401,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
A40MX02-FVQG80
Microsemi Corporation
LFEC3E-3T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX9-2FTG256I
Xilinx Inc.
XC3SD1800A-4FG676C
Xilinx Inc.
10M25SCE144A7G
Intel
5SGXEA3K2F35I2LN
Intel
XC7VX690T-L2FFG1157E
Xilinx Inc.
XA7A100T-1CSG324I
Xilinx Inc.
5AGXBA7D4F35I5N
Intel
EP20K200EBC356-2N
Intel