casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / RN1416,LF
codice articolo del costruttore | RN1416,LF |
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Numero di parte futuro | FT-RN1416,LF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RN1416,LF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
Potenza - Max | 200mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | S-Mini |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN1416,LF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RN1416,LF-FT |
UNR9211J0L
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UNR9212J0L
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UNR9213J0L
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UNR9214J0L
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UNR921FJ0L
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XCKU040-2FBVA900I
Xilinx Inc.
M1A3PE1500-1FG484I
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A54SX72A-FGG256M
Microsemi Corporation
A42MX24-PQ208M
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5
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XC7VX690T-1FFG1927C
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-5F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40E2LG
Intel