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Toshiba Semiconductor and Storage RN1130MFV,L3F

Name: RN1130MFV,L3F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: RN1130MFV,L3F
Price: 0.0252 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (655 reviews)

Numero parte MFG: RN1130MFV,L3F

quantità disponibile: 10320 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.0252

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione: - TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: RN1130MFV,L3F.pdf

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RN1130MFV,L3F specificazioni

codice articolo del costruttore	RN1130MFV,L3F
Numero di parte futuro	FT-RN1130MFV,L3F
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
RN1130MFV,L3F Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Transistor Type	NPN - Pre-Biased
Corrente - Collector (Ic) (Max)	100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Resistor - Base (R1)	100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)	100 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 500µA, 5mA
Corrente - Limite del collettore (max)	500nA
Frequenza - Transizione	250MHz
Potenza - Max	150mW
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	SOT-723
Pacchetto dispositivo fornitore	VESM
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RN1130MFV,L3F Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	RN1130MFV,L3F-FT

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