casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / RN1111MFV,L3F
codice articolo del costruttore | RN1111MFV,L3F |
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Numero di parte futuro | FT-RN1111MFV,L3F |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RN1111MFV,L3F Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 150mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-723 |
Pacchetto dispositivo fornitore | VESM |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN1111MFV,L3F Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RN1111MFV,L3F-FT |
PDTC114TT,235
Nexperia USA Inc.
PDTC114YT,215
Nexperia USA Inc.
PDTC114YTVL
Nexperia USA Inc.
PDTC115ET,215
Nexperia USA Inc.
PDTC115TT,215
Nexperia USA Inc.
PDTC123ETVL
Nexperia USA Inc.
PDTC123TT,215
Nexperia USA Inc.
PDTC123TT,235
Nexperia USA Inc.
PDTC123YT,215
Nexperia USA Inc.
PDTC124ET,215
Nexperia USA Inc.
A40MX02-2VQ80
Microsemi Corporation
XC6SLX150T-N3FGG900I
Xilinx Inc.
XC2V4000-4FFG1517C
Xilinx Inc.
APA075-PQ208A
Microsemi Corporation
5SGXMABK3H40C2N
Intel
XCV200-4BG256C
Xilinx Inc.
XC4028XL-2HQ208I
Xilinx Inc.
AGL250V2-FG144T
Microsemi Corporation
LFE2M20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U2F45I2SG
Intel