casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / PDTC115ET,215
codice articolo del costruttore | PDTC115ET,215 |
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Numero di parte futuro | FT-PDTC115ET,215 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PDTC115ET,215 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 20mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 100 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 100 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1µA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 250mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-236AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PDTC115ET,215 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PDTC115ET,215-FT |
PDTC115EUF
Nexperia USA Inc.
PDTC115TU,115
Nexperia USA Inc.
PDTC123EU,115
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PDTC123TU,115
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PDTC123YU,115
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PDTC124EU,135
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PDTC124TU,115
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PDTC143EU,115
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PDTC143TU,115
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PDTC143TU,135
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A40MX02-VQG80A
Microsemi Corporation
LCMXO2-640ZE-3TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
A3P1000-FGG484I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-6BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
10M40DCF256C7G
Intel
10AX027E3F29I2SG
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5SGXEB6R3F43I3L
Intel
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EPF8282ALC84-3
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Intel