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Toshiba Semiconductor and Storage RN1110MFV,L3F

Numero parte MFG
RN1110MFV,L3F
quantità disponibile
38750 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.023184
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Data di spedizione
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fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descrizione
- TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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RN1110MFV,L3F specificazioni

codice articolo del costruttore RN1110MFV,L3F
Numero di parte futuro FT-RN1110MFV,L3F
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
RN1110MFV,L3F Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Corrente - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Resistor - Base (R1) 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) -
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 5mA
Corrente - Limite del collettore (max) 100nA (ICBO)
Frequenza - Transizione -
Potenza - Max 150mW
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso SOT-723
Pacchetto dispositivo fornitore VESM
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RN1110MFV,L3F Peso Contattaci
Numero parte di ricambio RN1110MFV,L3F-FT

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