casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / RN1104T5LFT
codice articolo del costruttore | RN1104T5LFT |
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Numero di parte futuro | FT-RN1104T5LFT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RN1104T5LFT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
Potenza - Max | 100mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-75, SOT-416 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SSM |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN1104T5LFT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RN1104T5LFT-FT |
BCR158WH6327XTSA1
Infineon Technologies
BCR166WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BCR166WH6327XTSA1
Infineon Technologies
BCR169WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BCR169WH6327XTSA1
Infineon Technologies
BCR183WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BCR183WH6327XTSA1
Infineon Technologies
BCR185WE6327BTSA1
Infineon Technologies
BCR185WH6327XTSA1
Infineon Technologies
BCR191WE6327HTSA1
Infineon Technologies
XC3S1600E-4FGG400I
Xilinx Inc.
XC3S400-4FT256I
Xilinx Inc.
XC2S15-5VQG100C
Xilinx Inc.
A3PE3000-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQ208
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5SGXEA4K2F40C3N
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5SGXEB6R2F43C2LN
Intel
A54SX32A-1TQG100I
Microsemi Corporation
LFEC33E-5FN484C
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LFE2-50SE-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation