casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BYX82TAP
codice articolo del costruttore | BYX82TAP |
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Numero di parte futuro | FT-BYX82TAP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BYX82TAP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Avalanche |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 1A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 4µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | 20pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | SOD-57, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-57 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYX82TAP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BYX82TAP-FT |
1N5060TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N5061TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BY203-12STAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BY203-12STR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BY203-16STAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BY203-16STR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BY268TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BY448TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BY448TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BY458TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
EPF10K20TC144-3N
Intel
LFE2-20SE-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN250V5-ZCSG81
Microsemi Corporation
A42MX16-2PQ208I
Microsemi Corporation
A3P250L-1VQ100
Microsemi Corporation
EP20K100EFC144-1
Intel
10AX032H4F35E3SG
Intel
XC7VX1140T-1FLG1926C
Xilinx Inc.
10AX090R1F40E1SG
Intel
EP3SL70F780C3
Intel