casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / RMLV0416EGSB-4S2#AA0
codice articolo del costruttore | RMLV0416EGSB-4S2#AA0 |
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Numero di parte futuro | FT-RMLV0416EGSB-4S2#AA0 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RMLV0416EGSB-4S2#AA0 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM |
Dimensione della memoria | 4Mb (256K x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 45ns |
Tempo di accesso | 45ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 44-TSOP2 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RMLV0416EGSB-4S2#AA0 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RMLV0416EGSB-4S2#AA0-FT |
IDT71V416VS10PHI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V416VS12PH
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V416VS12PH8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V416VS12PHI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V416VS15PH8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V416VS15PHI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V416VS15PHI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V416YL10PH
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V416YL10PH8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V416YL12PH
IDT, Integrated Device Technology Inc
XCKU035-1FBVA676I
Xilinx Inc.
XC3S100E-4VQ100C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN030-Z1QNG48I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP4CE10F17A7N
Intel
EPF10K30EFC256-3
Intel
LFE2-20E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EFC324-1
Intel