casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / IDT71V416YL10PH8
codice articolo del costruttore | IDT71V416YL10PH8 |
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Numero di parte futuro | FT-IDT71V416YL10PH8 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IDT71V416YL10PH8 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
Dimensione della memoria | 4Mb (256K x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 10ns |
Tempo di accesso | 10ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 3V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 44-TSOP II |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IDT71V416YL10PH8 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IDT71V416YL10PH8-FT |
RMLV0816BGSD-4S2#HC0
Renesas Electronics America
RMLV0816BGSD-4S2#AC0
Renesas Electronics America
R1LV3216RSD-5SI#B0
Renesas Electronics America
RMLV1616AGSD-5S2#AC0
Renesas Electronics America
R1LV0816ASD-5SI#B0
Renesas Electronics America
R1LV1616RSD-5SI#B0
Renesas Electronics America
R1LV1616RSD-5SI#S0
Renesas Electronics America
R1LV1616RSD-7SI#B0
Renesas Electronics America
R1LV1616RSD-7SI#S0
Renesas Electronics America
R1LV3216RSD-5SI#S0
Renesas Electronics America
LFXP3C-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1600E-5FG320C
Xilinx Inc.
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
ICE40UL640-SWG16ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-1VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N1F45C2LN
Intel
A1010B-2PLG44C
Microsemi Corporation
LFX200B-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C5N
Intel
5SGXEA3H3F35C2LN
Intel