casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / RM24C128DS-LSNI-T
codice articolo del costruttore | RM24C128DS-LSNI-T |
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Numero di parte futuro | FT-RM24C128DS-LSNI-T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Mavriq™ |
RM24C128DS-LSNI-T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | CBRAM® |
Tecnologia | CBRAM |
Dimensione della memoria | 128kb (64B Page Size) |
Frequenza di clock | 1MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 100µs, 5ms |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | I²C |
Tensione - Fornitura | 1.65V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RM24C128DS-LSNI-T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RM24C128DS-LSNI-T-FT |
AS6C2008-55STIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C2008-55STINTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C2008A-55STIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C2008A-55STINTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C4008A-55STIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C4008A-55STINTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C4008-55STINR
Alliance Memory, Inc.
AS6C1008-55SIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C4008-55SIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C1008-55SINL
Alliance Memory, Inc.
XC2V250-6FG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-2FGG676I
Xilinx Inc.
A42MX16-2PQ208
Microsemi Corporation
A42MX24-FPQG208
Microsemi Corporation
EP1K10TI100-2
Intel
XC7K355T-1FFG901I
Xilinx Inc.
XC7K325T-3FFG900E
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000UHE-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N3F40I2SGE2
Intel