casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / AS6C2008-55STIN
codice articolo del costruttore | AS6C2008-55STIN |
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Numero di parte futuro | FT-AS6C2008-55STIN |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS6C2008-55STIN Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
Dimensione della memoria | 2Mb (256K x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 55ns |
Tempo di accesso | 55ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 32-LFSOP (0.465", 11.80mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 32-sTSOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS6C2008-55STIN Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AS6C2008-55STIN-FT |
AS4C8M16SA-6TIN
Alliance Memory, Inc.
MT48LC16M16A2TG-6A IT:GTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C32M16SB-7TINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C4M16SA-6TIN
Alliance Memory, Inc.
MT48LC8M16A2TG-6A:LTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C32M16SB-7TCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C16M16SA-6TCN
Alliance Memory, Inc.
MT48LC64M8A2TG-75:C
Alliance Memory, Inc.
MT48LC64M8A2P-75:C TR
Alliance Memory, Inc.
MT48LC64M8A2P-75:C
Alliance Memory, Inc.
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LAXP2-5E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V40-5FG256I
Xilinx Inc.
XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A25T-2CSG325C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG256
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE15U14A7N
Intel
EPF10K30EFC256-2N
Intel
EPF8636AQC208-3
Intel