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codice articolo del costruttore | RLB0812-181KL |
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Numero di parte futuro | FT-RLB0812-181KL |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RLB |
RLB0812-181KL Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 180µH |
Tolleranza | ±10% |
Valutazione attuale | 260mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 1 Ohm Max |
Q @ Freq | 45 @ 796kHz |
Frequenza - Autorisonante | 3.2MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C |
Frequenza di induttanza - Test | 796kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.264" Dia (6.70mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.433" (11.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RLB0812-181KL Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RLB0812-181KL-FT |
RLB1014-272KL
Bourns Inc.
RLB1014-332KL
Bourns Inc.
RLB1014-392KL
Bourns Inc.
RLB1014-562KL
Bourns Inc.
RLB1014-681KL
Bourns Inc.
RLB1014-822KL
Bourns Inc.
RLB1014-823KL
Bourns Inc.
RLB0914-102KL
Bourns Inc.
RLB0914-221KL
Bourns Inc.
RLB0914-331KL
Bourns Inc.
LFE2-6SE-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A50T-2CSG325I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
M1A3P400-2PQ208
Microsemi Corporation
EP3C5F256C6
Intel
M1AGL1000V5-CSG281
Microsemi Corporation
A42MX09-1PQG160
Microsemi Corporation
LFE2M50E-5F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10M04DAU324I7G
Intel