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ON Semiconductor NVHL082N65S3F

Name: NVHL082N65S3F
Brand: ON Semiconductor
SKU: NVHL082N65S3F
Price: 3.99984 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (563 reviews)

Numero parte MFG: NVHL082N65S3F

quantità disponibile: 99020 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 3.99984

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fabbricante: ON Semiconductor

Breve descrizione: Automotive, AEC-Q101, SuperFET® III, FRFET® SUPERFET3 650V FRFET82MO

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: NVHL082N65S3F.pdf

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NVHL082N65S3F specificazioni

codice articolo del costruttore	NVHL082N65S3F
Numero di parte futuro	FT-NVHL082N65S3F
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	Automotive, AEC-Q101, SuperFET® III, FRFET®
NVHL082N65S3F Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	40A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	82 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	81nC @ 10V
Vgs (massimo)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3410pF @ 400V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	313W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-247-3
Pacchetto / caso	TO-247-3 Variant
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NVHL082N65S3F Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	NVHL082N65S3F-FT

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