casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / RJL5012DPE-00#J3
codice articolo del costruttore | RJL5012DPE-00#J3 |
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Numero di parte futuro | FT-RJL5012DPE-00#J3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RJL5012DPE-00#J3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 700 mOhm @ 6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27.8nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1050pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 100W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 4-LDPAK |
Pacchetto / caso | SC-83 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RJL5012DPE-00#J3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RJL5012DPE-00#J3-FT |
RJK0703DPP-E0#T2
Renesas Electronics America
RJK1001DPP-E0#T2
Renesas Electronics America
RJK1002DPP-E0#T2
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RJK1003DPP-E0#T2
Renesas Electronics America
RJK5012DPP-E0#T2
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RJK5013DPP-E0#T2
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RJK5014DPP-E0#T2
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RJK5026DPP-E0#T2
Renesas Electronics America
RJK5034DPP-E0#T2
Renesas Electronics America
RJK5035DPP-E0#T2
Renesas Electronics America
XC2VP4-6FGG256C
Xilinx Inc.
XC4052XL-3HQ304C
Xilinx Inc.
XC2V250-6FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A42MX36-PQ208I
Microsemi Corporation
M2GL090TS-1FGG676I
Microsemi Corporation
LFEC10E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100QC208-3N
Intel
EP4SGX180FF35C2XN
Intel
EP1SGX25DF1020C6
Intel