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ON Semiconductor NVD5867NLT4G-TB01

Name: NVD5867NLT4G-TB01
Brand: ON Semiconductor
SKU: NVD5867NLT4G-TB01
Availability: InStock
Rating: 4.9 (273 reviews)

Numero parte MFG: NVD5867NLT4G-TB01

quantità disponibile: 83930 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: ON Semiconductor

Breve descrizione: Automotive, AEC-Q101 MOSFET N-CH 60V 22A DPAK DPAK

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: NVD5867NLT4G-TB01.pdf

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NVD5867NLT4G-TB01 specificazioni

codice articolo del costruttore	NVD5867NLT4G-TB01
Numero di parte futuro	FT-NVD5867NLT4G-TB01
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	Automotive, AEC-Q101
NVD5867NLT4G-TB01 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	6A (Ta), 22A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	39 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	675pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3.3W (Ta), 43W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	DPAK-3
Pacchetto / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NVD5867NLT4G-TB01 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	NVD5867NLT4G-TB01-FT

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