casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / RJK0355DSP-00#J0
codice articolo del costruttore | RJK0355DSP-00#J0 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-RJK0355DSP-00#J0 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RJK0355DSP-00#J0 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.1 mOhm @ 6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 860pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.8W (Ta) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOP |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RJK0355DSP-00#J0 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RJK0355DSP-00#J0-FT |
N0412N-S19-AY
Renesas Electronics America
RJK1003DPN-E0#T2
Renesas Electronics America
2SK3430-AZ
Renesas Electronics America
2SK3430-Z-E1-AZ
Renesas Electronics America
2SK3431-AZ
Renesas Electronics America
2SK3431-Z-E1-AZ
Renesas Electronics America
2SK3481-AZ
Renesas Electronics America
N0439N-S19-AY
Renesas Electronics America
NP60N04MUG-S18-AY
Renesas Electronics America
NP60N055MUK-S18-AY
Renesas Electronics America
A1020B-2VQ80I
Microsemi Corporation
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
5SGXMB6R2F40I2N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP2AGX125DF25I3N
Intel
XC5VLX110-3FFG1760C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31I5N
Intel
EP4SGX230HF35I4N
Intel