casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FQPF3N25
codice articolo del costruttore | FQPF3N25 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-FQPF3N25 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | QFET® |
FQPF3N25 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.3A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2 Ohm @ 1.15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.2nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 170pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 27W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220F |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQPF3N25 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FQPF3N25-FT |
FQPF11P06
ON Semiconductor
FCPF260N60E
ON Semiconductor
FCP20N60FS
ON Semiconductor
FCPF11N60T
ON Semiconductor
FCPF11N60_G
ON Semiconductor
FCPF11N65
ON Semiconductor
FCPF1300N80Z
ON Semiconductor
FCPF190N60
ON Semiconductor
FCPF20N60FS
ON Semiconductor
FCPF220N80
ON Semiconductor
XC2V250-5FG256I
Xilinx Inc.
M2GL050-FGG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG484T
Microsemi Corporation
APA1000-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-9400C-6BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA5K3F35C2L
Intel
XC5VLX50-2FFG1153C
Xilinx Inc.
XC6VLX550T-2FFG1759C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1SFVA784I
Xilinx Inc.
5SGXMA3H1F35C2LN
Intel