casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / RF 1AV1
codice articolo del costruttore | RF 1AV1 |
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Numero di parte futuro | FT-RF 1AV1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RF 1AV1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 600mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2V @ 600mA |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 400ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RF 1AV1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RF 1AV1-FT |
R9G20409ASOO
Powerex Inc.
R9G20409CSOO
Powerex Inc.
R9G20411ASOO
Powerex Inc.
R9G20411CSOO
Powerex Inc.
R9G20412CSOO
Powerex Inc.
R9G20415ASOO
Powerex Inc.
R9G20609ASOO
Powerex Inc.
R9G20609CSOO
Powerex Inc.
R9G20611ASOO
Powerex Inc.
R9G20611CSOO
Powerex Inc.
A40MX04-VQ80A
Microsemi Corporation
XC2VP30-5FGG676C
Xilinx Inc.
APA750-BG456I
Microsemi Corporation
AFS250-FGG256
Microsemi Corporation
AGLN125V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I3LN
Intel
EP3SE80F1152C3N
Intel
10AX057K3F35E2LG
Intel
EP1S40F780I6
Intel
EP1SGX40GF1020C6
Intel