casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / R9G20409ASOO
codice articolo del costruttore | R9G20409ASOO |
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Numero di parte futuro | FT-R9G20409ASOO |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
R9G20409ASOO Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | - |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | - |
Corrente: media rettificata (Io) | - |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
Velocità | - |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | - |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R9G20409ASOO Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | R9G20409ASOO-FT |
R5040PF
Microsemi Corporation
R5060PF
Microsemi Corporation
R5080PF
Microsemi Corporation
R5100210XXWA
Powerex Inc.
R5100215XXWA
Powerex Inc.
R5100410XXWA
Powerex Inc.
R5100415XXWA
Powerex Inc.
R5100610XXWA
Powerex Inc.
R5100615XXWA
Powerex Inc.
R5100810XXWA
Powerex Inc.
EPF10K50STC144-1
Intel
XC7A75T-1FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX16A-1PQ208M
Microsemi Corporation
MPF100TS-1FCVG484I
Microsemi Corporation
A3PN060-Z2VQG100
Microsemi Corporation
AT40K10-2EQI
Microchip Technology
XC7K355T-2FFG901I
Xilinx Inc.
LFE2M70E-6F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C12F324I7
Intel