casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / RDS80610XX
codice articolo del costruttore | RDS80610XX |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-RDS80610XX |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RDS80610XX Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 10000A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 750mV @ 4000A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 25µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 300mA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RDS80610XX Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RDS80610XX-FT |
R9G04212XX
Powerex Inc.
R9G04412XX
Powerex Inc.
R9G20209ASOO
Powerex Inc.
R9G20209CSOO
Powerex Inc.
R9G20211ASOO
Powerex Inc.
R9G20211CSOO
Powerex Inc.
R9G20212CSOO
Powerex Inc.
R9G20215ASOO
Powerex Inc.
R9G20409ASOO
Powerex Inc.
R9G20409CSOO
Powerex Inc.
AX250-FG256I
Microsemi Corporation
MPF300TLS-FCVG484I
Microsemi Corporation
5AGXBA5D6F27C6N
Intel
10M04SFE144I7G
Intel
5SGSED8N1F45C2L
Intel
5SGSMD8N3F45I3N
Intel
5SGXEA5K2F35C3N
Intel
XC7V2000T-1FLG1925I
Xilinx Inc.
A42MX09-3TQG176
Microsemi Corporation
LFE2-50E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation