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Rohm Semiconductor RDN120N25FU6

Numero parte MFG
RDN120N25FU6
quantità disponibile
92530 pezzi
Prezzo di riferimento
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fabbricante
Rohm Semiconductor
Breve descrizione
- MOSFET N-CH 250V 12A TO-220FN
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore RDN120N25FU6
Numero di parte futuro FT-RDN120N25FU6
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
RDN120N25FU6 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 250V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 210 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 62nC @ 10V
Vgs (massimo) ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1224pF @ 10V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 40W (Tc)
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-220FN
Pacchetto / caso TO-220-3 Full Pack
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RDN120N25FU6 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio RDN120N25FU6-FT

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