casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / DKI04077
codice articolo del costruttore | DKI04077 |
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Numero di parte futuro | FT-DKI04077 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DKI04077 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 47A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.9 mOhm @ 23.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 350µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18.5nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1470pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 37W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-252 |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DKI04077 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DKI04077-FT |
STD7NM80-1
STMicroelectronics
STD8NM60N-1
STMicroelectronics
STD90N02L-1
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STD90N03L-1
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STD9NM50N-1
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STU10NM60N
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STU10NM65N
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STU10P6F6
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STU11NM60ND
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STU12N60M2
STMicroelectronics
XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
APA150-FGG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
Microsemi Corporation
EP1M350F780C6
Intel
LCMXO2-2000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H1F34I1SG
Intel
EP1C6Q240C7N
Intel
EP1K100QC208-1GZ
Intel