casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / RDN100N20
codice articolo del costruttore | RDN100N20 |
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Numero di parte futuro | FT-RDN100N20 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RDN100N20 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 543pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 35W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220FN |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RDN100N20 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RDN100N20-FT |
SKP202VR
Sanken
SKP253
Sanken
SKP253VR
Sanken
DKI04077
Sanken
DKI06186
Sanken
EKI04036
Sanken
EKI04027
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EKI04047
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EKI06051
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EKI06075
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A3PN015-1QNG68I
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A1415A-PQ100I
Microsemi Corporation
M2GL025S-1VF400I
Microsemi Corporation
A10V20B-PL68C
Microsemi Corporation
EP4S100G3F45I3N
Intel
XC4028XL-09HQ208C
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FFG672C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE80F780C4
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel