casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / RC12KT4M70
codice articolo del costruttore | RC12KT4M70 |
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Numero di parte futuro | FT-RC12KT4M70 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RC |
RC12KT4M70 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 4.7 MOhms |
Tolleranza | ±10% |
Potenza (Watt) | 0.5W, 1/2W |
Composizione | Carbon Composition |
Caratteristiche | Non-Inductive, Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.142" Dia x 0.374" L (3.60mm x 9.50mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RC12KT4M70 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RC12KT4M70-FT |
WNBR25FET
Ohmite
WHBR25FET
Ohmite
WNBR10FET
Ohmite
WHBR10FET
Ohmite
WHB75RFET
Ohmite
WNB75RFET
Ohmite
WHB750FET
Ohmite
WHB5R0FET
Ohmite
WNB5R0FET
Ohmite
WHB560FET
Ohmite
XC6SLX75-N3FGG676C
Xilinx Inc.
XC2V250-4FGG456C
Xilinx Inc.
APA600-FG676
Microsemi Corporation
5SGXEABK3H40C2LN
Intel
XC2VP4-6FF672C
Xilinx Inc.
A42MX24-2TQ176I
Microsemi Corporation
LFEC20E-4FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40E2SG
Intel
EP1S10F780C6
Intel
5SGXMA3H2F35I2N
Intel