casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / WNBR10FET
codice articolo del costruttore | WNBR10FET |
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Numero di parte futuro | FT-WNBR10FET |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | WN |
WNBR10FET Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 100 mOhms |
Tolleranza | ±1% |
Potenza (Watt) | 1W |
Composizione | Wirewound |
Caratteristiche | Non-Inductive |
Coefficiente di temperatura | ±90ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.130" Dia x 0.276" L (3.30mm x 7.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
WNBR10FET Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | WNBR10FET-FT |
MT5-0R1F1
Riedon
MT4-0R01F1
Riedon
MT4-0R03F1
Riedon
MT4-0R05F1
Riedon
MT4-0R07F1
Riedon
MT4-0R1F1
Riedon
MT3-0R01F1
Riedon
MT3-0R03F1
Riedon
MT3-0R05F1
Riedon
MT3-0R07F1
Riedon
M1A3P600L-FG256I
Microsemi Corporation
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
MPF100T-FCG484E
Microsemi Corporation
10M16SCE144C7G
Intel
5SGXEA5H2F35I3
Intel
XC6SLX25T-2CSG324I
Xilinx Inc.
XC7S25-1CSGA324I
Xilinx Inc.
LFEC6E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HC-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HC-5MG132I
Lattice Semiconductor Corporation