casa / prodotti / resistenze / Resistore a chip - Montaggio superficiale / RBDJR0100FL
codice articolo del costruttore | RBDJR0100FL |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-RBDJR0100FL |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RBD |
RBDJR0100FL Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 10 mOhms |
Tolleranza | ±1% |
Potenza (Watt) | 0.5W, 1/2W |
Composizione | Metal Foil |
Caratteristiche | Current Sense |
Coefficiente di temperatura | ±25ppm/°C |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | 1210 (3225 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1210 |
Dimensione / Dimensione | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.041" (1.05mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RBDJR0100FL Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RBDJR0100FL-FT |
HVCB2010JTL10M0
Stackpole Electronics Inc
HVCB2010KKD4M70
Stackpole Electronics Inc
HVCB2010KTD4M70
Stackpole Electronics Inc
HVCB2010KTL10M0
Stackpole Electronics Inc
HVCB2010KTL300M
Stackpole Electronics Inc
HVCB2010KTL560K
Stackpole Electronics Inc
HVCB2512BDC1M00
Stackpole Electronics Inc
HVCB2512CDC100M
Stackpole Electronics Inc
HVCB2512DTC100M
Stackpole Electronics Inc
HVCB2512DTC402K
Stackpole Electronics Inc
XA3S100E-4TQG144Q
Xilinx Inc.
LFEC6E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN060V2-ZCSG81
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-4300E-5UWG81ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K130EFC672-2
Intel
EP4CE6E22C8L
Intel
M1AGL600V2-FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-2100E-6MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE30F29C8
Intel
EP1S30F1020C7N
Intel