casa / prodotti / resistenze / Resistore a chip - Montaggio superficiale / RBDCR1000D
codice articolo del costruttore | RBDCR1000D |
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Numero di parte futuro | FT-RBDCR1000D |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RBD |
RBDCR1000D Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 100 mOhms |
Tolleranza | ±0.5% |
Potenza (Watt) | 0.5W, 1/2W |
Composizione | Metal Foil |
Caratteristiche | Current Sense |
Coefficiente di temperatura | ±10ppm/°C |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | 1210 (3225 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1210 |
Dimensione / Dimensione | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.041" (1.05mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RBDCR1000D Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RBDCR1000D-FT |
HVCB2010FTL249K
Stackpole Electronics Inc
HVCB2010FTL500M
Stackpole Electronics Inc
HVCB2010JDL100K
Stackpole Electronics Inc
HVCB2010JKC10M0
Stackpole Electronics Inc
HVCB2010JKL1G00
Stackpole Electronics Inc
HVCB2010JKL250M
Stackpole Electronics Inc
HVCB2010JTC10M0
Stackpole Electronics Inc
HVCB2010JTD500K
Stackpole Electronics Inc
HVCB2010JTL10M0
Stackpole Electronics Inc
HVCB2010KKD4M70
Stackpole Electronics Inc
XC7K160T-1FBG676I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQ208
Microsemi Corporation
A3P250L-1VQG100
Microsemi Corporation
EP4CGX50DF27C6N
Intel
A42MX16-3TQG176I
Microsemi Corporation
10AX115N3F40I2SGE2
Intel
EP2AGX95EF35C5ES
Intel
EP1C6Q240C7
Intel
EP20K1500EFC33-2X
Intel