casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / 1PS59SB16,115
codice articolo del costruttore | 1PS59SB16,115 |
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Numero di parte futuro | FT-1PS59SB16,115 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1PS59SB16,115 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Anode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 200mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 800mV @ 100mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 5ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2µA @ 25V |
Temperatura operativa - Giunzione | 125°C (Max) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMT3; MPAK |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1PS59SB16,115 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1PS59SB16,115-FT |
BAT5404E6327HTSA1
Infineon Technologies
BAV199-TP
Micro Commercial Co
BAV99
ON Semiconductor
BAW56-TP
Micro Commercial Co
BAS40-05-TP
Micro Commercial Co
BAS7005E6327HTSA1
Infineon Technologies
DB3X314F0L
Panasonic Electronic Components
MMBD7000LT1HTSA1
Infineon Technologies
BAS7004E6327HTSA1
Infineon Technologies
MMBD7000
ON Semiconductor
EX128-TQ64I
Microsemi Corporation
XC2S50-5FGG256C
Xilinx Inc.
XA3S1600E-4FGG484I
Xilinx Inc.
AX1000-FGG484M
Microsemi Corporation
XC7A25T-L1CPG238I
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6U19C6N
Intel
5CGXFC7C7U19C8N
Intel
10AX057N2F40E2SG
Intel
EP20K1000CB652C7N
Intel
EPF10K50SQC208-3
Intel