casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / RB541XNTR
codice articolo del costruttore | RB541XNTR |
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Numero di parte futuro | FT-RB541XNTR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RB541XNTR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 3 Independent |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 100mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 530mV @ 100mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 10V |
Temperatura operativa - Giunzione | 125°C (Max) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacchetto dispositivo fornitore | UMD6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RB541XNTR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RB541XNTR-FT |
MBR20150CT-G
Comchip Technology
MBR2030CT-G
Comchip Technology
MBR2040CT-G
Comchip Technology
MBR2050CT-G
Comchip Technology
MBR2060CT-G
Comchip Technology
MBR2080CT-G
Comchip Technology
SBR20A40CT
Diodes Incorporated
MBR2060CT-I
Diodes Incorporated
V40120C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V40M120C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
XA2S100E-6TQ144Q
Xilinx Inc.
XCS20XL-4TQ144C
Xilinx Inc.
XC3S1400A-5FGG676C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-1FGG484I
Microsemi Corporation
A40MX02-2PL68
Microsemi Corporation
10M16SCU169A7G
Intel
10AX027H4F35I3LG
Intel
A42MX09-1PQ100
Microsemi Corporation
10AX057K3F40I2SG
Intel
EP3SE80F780C2
Intel