casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / V40M120C-M3/4W
codice articolo del costruttore | V40M120C-M3/4W |
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Numero di parte futuro | FT-V40M120C-M3/4W |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TMBS® |
V40M120C-M3/4W Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 120V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 20A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 890mV @ 20A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500µA @ 120V |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V40M120C-M3/4W Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | V40M120C-M3/4W-FT |
SBR3060CT
Diodes Incorporated
LQA30T200C
Power Integrations
SBR10U100CT
Diodes Incorporated
SDT10A100CT
Diodes Incorporated
LQA10T200C
Power Integrations
LQA40T200C
Power Integrations
SBR20U40CT-G
Diodes Incorporated
MBR10200CT-LJ
Diodes Incorporated
MBR20150CT-LJ
Diodes Incorporated
MBR2045CT-G1
Diodes Incorporated
XA6SLX25-3FGG484Q
Xilinx Inc.
M1A3P250-2PQG208I
Microsemi Corporation
EP20K300EFC672-1
Intel
10CL055YU484I7G
Intel
EP3SL50F484C4L
Intel
5SGXEA7N3F45I3LN
Intel
XA6SLX9-2CSG225Q
Xilinx Inc.
AGL125V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-7FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation