casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / RB530SM-30FHT2R
codice articolo del costruttore | RB530SM-30FHT2R |
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Numero di parte futuro | FT-RB530SM-30FHT2R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
RB530SM-30FHT2R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente: media rettificata (Io) | 200mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 450mV @ 10mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500nA @ 10V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-79, SOD-523 |
Pacchetto dispositivo fornitore | EMD2 |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RB530SM-30FHT2R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RB530SM-30FHT2R-FT |
RBR3L30ATE25
Rohm Semiconductor
RBR3L40BTE25
Rohm Semiconductor
RBR3L60ATE25
Rohm Semiconductor
RBR3L60BTE25
Rohm Semiconductor
RBR5L30BTE25
Rohm Semiconductor
RBR5L40ATE25
Rohm Semiconductor
RBR5L60ATE25
Rohm Semiconductor
RF071L4STE25
Rohm Semiconductor
RF081L2STE25
Rohm Semiconductor
RF08L6STE25
Rohm Semiconductor
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC2S150-5FGG456I
Xilinx Inc.
A3PN250-1VQ100I
Microsemi Corporation
10M50DCF484C8G
Intel
5SGSMD5K2F40C3
Intel
5SGSED8N1F45C2L
Intel
LFXP2-40E-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-9400E-6MG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1500EBC652-1X
Intel