casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / RBR5L40ATE25
codice articolo del costruttore | RBR5L40ATE25 |
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Numero di parte futuro | FT-RBR5L40ATE25 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RBR5L40ATE25 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 40V |
Corrente: media rettificata (Io) | 5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 530mV @ 5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200µA @ 40V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | PMDS |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RBR5L40ATE25 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RBR5L40ATE25-FT |
RB068M-40TR
Rohm Semiconductor
RB068M-60TR
Rohm Semiconductor
RB068MM-40TR
Rohm Semiconductor
RB070M-30TR
Rohm Semiconductor
RB160M-30TR
Rohm Semiconductor
RB160M-40TR
Rohm Semiconductor
RB160M-60TR
Rohm Semiconductor
RB160M-90TR
Rohm Semiconductor
RB160MM-30TR
Rohm Semiconductor
RB160MM-40TR
Rohm Semiconductor
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel