casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / RB521S30,115
codice articolo del costruttore | RB521S30,115 |
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Numero di parte futuro | FT-RB521S30,115 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RB521S30,115 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente: media rettificata (Io) | 200mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 500mV @ 200mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 30µA @ 10V |
Capacità @ Vr, F | 25pF @ 1V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-79, SOD-523 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-523 |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RB521S30,115 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RB521S30,115-FT |
NTS1045MFST1G
ON Semiconductor
NTS1045MFST3G
ON Semiconductor
NTS12100EMFST1G
ON Semiconductor
NTS12100EMFST3G
ON Semiconductor
NTS12100MFST1G
ON Semiconductor
NTS12100MFST3G
ON Semiconductor
NTS12120EMFST3G
ON Semiconductor
NTS12120MFST3G
ON Semiconductor
NTS1245MFST3G
ON Semiconductor
NTS1545MFST1G
ON Semiconductor
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel