casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / NTS12120EMFST3G
codice articolo del costruttore | NTS12120EMFST3G |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-NTS12120EMFST3G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NTS12120EMFST3G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 120V |
Corrente: media rettificata (Io) | 12A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 830mV @ 12A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 55µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
Pacchetto dispositivo fornitore | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTS12120EMFST3G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NTS12120EMFST3G-FT |
NTS10100MFST1G
ON Semiconductor
NRVB440MFST1G
ON Semiconductor
NRVB560MFST1G
ON Semiconductor
NRVTS10120MFST1G
ON Semiconductor
MBR440MFST3G
ON Semiconductor
MBR560MFST3G
ON Semiconductor
NRVB440MFSWFT3G
ON Semiconductor
NRVB1240MFST1G
ON Semiconductor
NRVB440MFSWFT1G
ON Semiconductor
MBR10100MFST1G
ON Semiconductor
A3PE600-2FGG484
Microsemi Corporation
LFE2M70E-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F484C6N
Intel
EP20K30EFC144-3
Intel
5CGXFC4F6M11C6N
Intel
XC4010XL-3BG256I
Xilinx Inc.
XC2VP7-5FF672I
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-3FFG1156C
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C4
Intel