casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / RB510SM-30FHT2R
codice articolo del costruttore | RB510SM-30FHT2R |
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Numero di parte futuro | FT-RB510SM-30FHT2R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
RB510SM-30FHT2R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente: media rettificata (Io) | 100mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 460mV @ 10mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 300nA @ 10V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-79, SOD-523 |
Pacchetto dispositivo fornitore | EMD2 |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RB510SM-30FHT2R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RB510SM-30FHT2R-FT |
RBR1L40ATE25
Rohm Semiconductor
RBR1L60ATE25
Rohm Semiconductor
RBR2L30ATE25
Rohm Semiconductor
RBR2L40ATE25
Rohm Semiconductor
RBR2L60ATE25
Rohm Semiconductor
RBR2L60BTE25
Rohm Semiconductor
RBR3L30ATE25
Rohm Semiconductor
RBR3L40BTE25
Rohm Semiconductor
RBR3L60ATE25
Rohm Semiconductor
RBR3L60BTE25
Rohm Semiconductor
XC6SLX4-2TQG144I
Xilinx Inc.
A54SX08-2TQ144I
Microsemi Corporation
XCVU095-H1FFVC1517E
Xilinx Inc.
EPF10K130EFC672-2X
Intel
10AX027E3F27E2SG
Intel
EP3SL110F1152C4LN
Intel
XC4005XL-1PC84C
Xilinx Inc.
LFE2-6SE-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35C4
Intel