casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / RBR1L60ATE25
codice articolo del costruttore | RBR1L60ATE25 |
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Numero di parte futuro | FT-RBR1L60ATE25 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RBR1L60ATE25 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 530mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 75µA @ 60V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | PMDS |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RBR1L60ATE25 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RBR1L60ATE25-FT |
RB050M-30TR
Rohm Semiconductor
RB051M-2YTR
Rohm Semiconductor
RB060M-30DDTR
Rohm Semiconductor
RB060M-30TR
Rohm Semiconductor
RB060M-40DDTR
Rohm Semiconductor
RB060M-40TR
Rohm Semiconductor
RB060M-60DDTR
Rohm Semiconductor
RB060M-60TR
Rohm Semiconductor
RB060MM-40TR
Rohm Semiconductor
RB068L-60TE25
Rohm Semiconductor
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel