casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / RB501SM-30FHT2R
codice articolo del costruttore | RB501SM-30FHT2R |
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Numero di parte futuro | FT-RB501SM-30FHT2R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
RB501SM-30FHT2R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente: media rettificata (Io) | 100mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 350mV @ 10mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 10V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-79, SOD-523 |
Pacchetto dispositivo fornitore | EMD2 |
Temperatura operativa - Giunzione | 125°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RB501SM-30FHT2R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RB501SM-30FHT2R-FT |
RB168L150TE25
Rohm Semiconductor
RBR1L40ATE25
Rohm Semiconductor
RBR1L60ATE25
Rohm Semiconductor
RBR2L30ATE25
Rohm Semiconductor
RBR2L40ATE25
Rohm Semiconductor
RBR2L60ATE25
Rohm Semiconductor
RBR2L60BTE25
Rohm Semiconductor
RBR3L30ATE25
Rohm Semiconductor
RBR3L40BTE25
Rohm Semiconductor
RBR3L60ATE25
Rohm Semiconductor
LCMXO2-1200ZE-3TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1200E-4FG320C
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FGG456C
Xilinx Inc.
A1010B-2PL68I
Microsemi Corporation
5SGXMA3K2F40I3N
Intel
5SEEBF45I3N
Intel
5SGXEA5K3F35I3N
Intel
XC4013XL-1BG256I
Xilinx Inc.
XC4VFX60-10FFG1152C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation