casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / RB501SM-30FHT2R
codice articolo del costruttore | RB501SM-30FHT2R |
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Numero di parte futuro | FT-RB501SM-30FHT2R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
RB501SM-30FHT2R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente: media rettificata (Io) | 100mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 350mV @ 10mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 10V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-79, SOD-523 |
Pacchetto dispositivo fornitore | EMD2 |
Temperatura operativa - Giunzione | 125°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RB501SM-30FHT2R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RB501SM-30FHT2R-FT |
RB168L150TE25
Rohm Semiconductor
RBR1L40ATE25
Rohm Semiconductor
RBR1L60ATE25
Rohm Semiconductor
RBR2L30ATE25
Rohm Semiconductor
RBR2L40ATE25
Rohm Semiconductor
RBR2L60ATE25
Rohm Semiconductor
RBR2L60BTE25
Rohm Semiconductor
RBR3L30ATE25
Rohm Semiconductor
RBR3L40BTE25
Rohm Semiconductor
RBR3L60ATE25
Rohm Semiconductor
LCMXO2280E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL090-FCSG325I
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-6BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7N2F40I3LN
Intel
5SGXEA5H2F35I3
Intel
XC7A15T-3CPG236E
Xilinx Inc.
5AGXFB1H6F35C6N
Intel
EP1S80B956C6N
Intel
EP4SGX180HF35C4
Intel