casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / RB162VAM-20TR
codice articolo del costruttore | RB162VAM-20TR |
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Numero di parte futuro | FT-RB162VAM-20TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RB162VAM-20TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 20V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 400mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1.2mA @ 20V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 2-SMD, Flat Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | TUMD2M |
Temperatura operativa - Giunzione | 125°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RB162VAM-20TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RB162VAM-20TR-FT |
RB160A40T-32
Rohm Semiconductor
RB160A60T-32
Rohm Semiconductor
RB160A90T-32
Rohm Semiconductor
RB201A60T-31
Rohm Semiconductor
RF101A2ST-32
Rohm Semiconductor
RB521AS-30T2R
Rohm Semiconductor
RB521AS-40T2R
Rohm Semiconductor
RRE02VSM6STR
Rohm Semiconductor
RRE07VSM6STR
Rohm Semiconductor
RFU02VSM6STR
Rohm Semiconductor
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel