casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / RF101A2ST-32
codice articolo del costruttore | RF101A2ST-32 |
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Numero di parte futuro | FT-RF101A2ST-32 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RF101A2ST-32 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 870mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 25ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-41 Mini, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | MSR |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RF101A2ST-32 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RF101A2ST-32-FT |
RFN2LAM6STFTR
Rohm Semiconductor
RB050LAM-30TFTR
Rohm Semiconductor
RB050LAM-40TFTR
Rohm Semiconductor
RB055LAM-30TFTR
Rohm Semiconductor
RB058LAM-30TFTR
Rohm Semiconductor
RB058LAM-40TFTR
Rohm Semiconductor
RB058LAM-40TR
Rohm Semiconductor
RB058LAM100TFTR
Rohm Semiconductor
RB058LAM150TFTR
Rohm Semiconductor
RB060LAM-40TFTR
Rohm Semiconductor
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel