casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / RB068MM100TFTR
codice articolo del costruttore | RB068MM100TFTR |
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Numero di parte futuro | FT-RB068MM100TFTR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
RB068MM100TFTR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 870mV @ 2A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 400nA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOD-123F |
Pacchetto dispositivo fornitore | PMDU |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RB068MM100TFTR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RB068MM100TFTR-FT |
SCS212AGHRC
Rohm Semiconductor
SCS220KGHRC
Rohm Semiconductor
SCS206AGHRC
Rohm Semiconductor
SCS306APC9
Rohm Semiconductor
RFV12TG6SGC9
Rohm Semiconductor
RFV8TG6SGC9
Rohm Semiconductor
RFNL10TJ6SGC9
Rohm Semiconductor
SCS215KGHRC
Rohm Semiconductor
SCS208AGHRC
Rohm Semiconductor
SCS220AGHRC
Rohm Semiconductor
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel