casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / RFV12TG6SGC9
codice articolo del costruttore | RFV12TG6SGC9 |
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Numero di parte futuro | FT-RFV12TG6SGC9 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RFV12TG6SGC9 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 12A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.8V @ 12A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 45ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220ACFP |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RFV12TG6SGC9 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RFV12TG6SGC9-FT |
MBRB1840TR
SMC Diode Solutions
MBRB745TR
SMC Diode Solutions
MBRB760TR
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SDURB1520TR
SMC Diode Solutions
SDURB1530TR
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SDURB1540TR
SMC Diode Solutions
SDURB2040TR
SMC Diode Solutions
SDURB2060TR
SMC Diode Solutions
SK1840DTR
SMC Diode Solutions
STB12100TR
SMC Diode Solutions
XCS20XL-4TQG144I
Xilinx Inc.
XC7S50-1FGGA484I
Xilinx Inc.
A54SX08A-1FG144
Microsemi Corporation
AGLE600V5-FG256
Microsemi Corporation
ICE40HX4K-BG121
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000EFC672-1
Intel
EP3C25U256C7
Intel
5SGSMD5H2F35I2LN
Intel
A1020B-PL44C
Microsemi Corporation
LFE2M35E-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation