casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / RA201236XX
codice articolo del costruttore | RA201236XX |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-RA201236XX |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RA201236XX Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3600A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.15V @ 3000A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 22µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200mA @ 1200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | DO-200AD |
Pacchetto dispositivo fornitore | Pow-R-Disc |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RA201236XX Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RA201236XX-FT |
1N6642UBCA
Microsemi Corporation
1N6642UBCC
Microsemi Corporation
BYS11-90HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYS11-90HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYS12-90HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYS12-90HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
CS1D-E3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
CS1G-E3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
CS1J-E3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
CS1K-E3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division