casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / CS1G-E3/H
codice articolo del costruttore | CS1G-E3/H |
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Numero di parte futuro | FT-CS1G-E3/H |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CS1G-E3/H Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.12V @ 1A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 1.5µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 400V |
Capacità @ Vr, F | 6pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CS1G-E3/H Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CS1G-E3/H-FT |
BAT1502LSE6433XTMA1
Infineon Technologies
BAT2402ELSE6327XTSA1
Infineon Technologies
CD123D-B120R
Bourns Inc.
CD214C-F3150
Bourns Inc.
CMS10I30A(TE12L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage
CMS10I40A(TE12L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage
CMS20I40A(TE12L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage
DZ950N36KHPSA1
Infineon Technologies
DZ950N44KHPSA1
Infineon Technologies
DZ950N44KS01HPSA1
Infineon Technologies
A54SX16P-2TQG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC7K410T-2FBG676C
Xilinx Inc.
EP2AGX65DF25C5
Intel
5SGXMABN3F45I3N
Intel
5SGXMA5H2F35I3N
Intel
XCV50-5BG256I
Xilinx Inc.
A42MX09-TQG176I
Microsemi Corporation
LFEC20E-3FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7D6F31I7
Intel