casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / R6202630XXOO
codice articolo del costruttore | R6202630XXOO |
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Numero di parte futuro | FT-R6202630XXOO |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
R6202630XXOO Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 2600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 300A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 800A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 6µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50mA @ 2600V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | DO-200AA, A-PUK |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-200AA, R62 |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R6202630XXOO Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | R6202630XXOO-FT |
R6001825XXYA
Powerex Inc.
R6001830XXYA
Powerex Inc.
R6002025XXYA
Powerex Inc.
R6002030XXYA
Powerex Inc.
R6002225XXYA
Powerex Inc.
R6002425XXYA
Powerex Inc.
R6010225XXYA
Powerex Inc.
R6010230XXYA
Powerex Inc.
R6010425XXYA
Powerex Inc.
R6010430XXYA
Powerex Inc.
XC6SLX150T-2CSG484I
Xilinx Inc.
AGLN125V5-ZCSG81I
Microsemi Corporation
AGL400V5-FGG484
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8N
Intel
10CL055YU484C8G
Intel
EP4SGX230KF40C3N
Intel
5SGSMD4E3H29I3LN
Intel
LCMXO640C-5B256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N3F45E2LG
Intel
10AX032E2F29E1HG
Intel