casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / R6010425XXYA
codice articolo del costruttore | R6010425XXYA |
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Numero di parte futuro | FT-R6010425XXYA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
R6010425XXYA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard, Reverse Polarity |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente: media rettificata (Io) | 250A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 11µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50mA @ 400V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Stud Mount |
Pacchetto / caso | DO-205AB, DO-9, Stud |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-205AB, DO-9 |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R6010425XXYA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | R6010425XXYA-FT |
HER601G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER601G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER602G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER602G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER602G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER603G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER603G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER603G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER604G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER604G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
A54SX16P-2TQG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC7K410T-2FBG676C
Xilinx Inc.
EP2AGX65DF25C5
Intel
5SGXMABN3F45I3N
Intel
5SGXMA5H2F35I3N
Intel
XCV50-5BG256I
Xilinx Inc.
A42MX09-TQG176I
Microsemi Corporation
LFEC20E-3FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7D6F31I7
Intel