casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / R6110430XXYZ
codice articolo del costruttore | R6110430XXYZ |
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Numero di parte futuro | FT-R6110430XXYZ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
R6110430XXYZ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard, Reverse Polarity |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente: media rettificata (Io) | 300A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.4V @ 800A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 13µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50mA @ 400V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
Pacchetto / caso | DO-205AB, DO-9, Stud |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-205AB, DO-9 |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 190°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R6110430XXYZ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | R6110430XXYZ-FT |
R34120
Microsemi Corporation
R34140
Microsemi Corporation
R34160
Microsemi Corporation
R3420
Microsemi Corporation
R3440
Microsemi Corporation
R3460
Microsemi Corporation
R3480
Microsemi Corporation
R3510
Microsemi Corporation
R35100
Microsemi Corporation
R35120
Microsemi Corporation
XC4005XL-3PQ100C
Xilinx Inc.
XA3SD1800A-4CSG484Q
Xilinx Inc.
A3PE1500-1FG484I
Microsemi Corporation
A54SX08A-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP2S15F484C4
Intel
EP4CE115F23C9L
Intel
EP3SE80F1152C3
Intel
XC2V1500-5BGG575C
Xilinx Inc.
EP2SGX30CF780C5N
Intel
EP4SGX230FF35C4N
Intel