casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / R6110230XXYZ
codice articolo del costruttore | R6110230XXYZ |
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Numero di parte futuro | FT-R6110230XXYZ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
R6110230XXYZ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard, Reverse Polarity |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 300A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.4V @ 800A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 13µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50mA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
Pacchetto / caso | DO-205AB, DO-9, Stud |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-205AB, DO-9 |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 190°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R6110230XXYZ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | R6110230XXYZ-FT |
R3410
Microsemi Corporation
R34100
Microsemi Corporation
R34120
Microsemi Corporation
R34140
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R34160
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R3420
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R3440
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R3460
Microsemi Corporation
R3480
Microsemi Corporation
R3510
Microsemi Corporation
A40MX02-1VQG80I
Microsemi Corporation
M2GL005-VFG256
Microsemi Corporation
ICE65L01F-TVQ100C
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K10-2DQU
Microchip Technology
5SGSMD6N2F45I2LN
Intel
EP3SE260F1152I4L
Intel
XC4VLX60-11FFG1148C
Xilinx Inc.
LFX125EB-05F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H4F34I3SG
Intel
EP4SGX360FF35C3N
Intel