casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / R6100830XXYZ
codice articolo del costruttore | R6100830XXYZ |
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Numero di parte futuro | FT-R6100830XXYZ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
R6100830XXYZ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 300A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.4V @ 800A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 13µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50mA @ 800V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
Pacchetto / caso | DO-205AB, DO-9, Stud |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-205AB, DO-9 |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 190°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R6100830XXYZ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | R6100830XXYZ-FT |
R30680
Microsemi Corporation
R30720
Microsemi Corporation
R30740
Microsemi Corporation
R30760
Microsemi Corporation
R3410
Microsemi Corporation
R34100
Microsemi Corporation
R34120
Microsemi Corporation
R34140
Microsemi Corporation
R34160
Microsemi Corporation
R3420
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation
MPF300TS-1FCG484I
Microsemi Corporation
EP1S20F672C6
Intel
EPF10K100ABI600-2
Intel
EP3C25F256A7N
Intel
5SGXMA4K2F40C1N
Intel
10CL016ZE144I8G
Intel
5AGXMA3D4F27I3N
Intel
A54SX08A-TQG100
Microsemi Corporation
5CGTFD9C5F23I7N
Intel